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FET 类型P 沟道技术MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss)45V电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)230mA(Ta)驱动电压( Rds On, Rds On)10V不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值)14 欧姆 @ 200mA,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(值)3.5V @ 1mAVgs(值)±20V不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(值)60pF @ 10VFET 功能-功率耗散(值)700mW(Ta)工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型通孔供应商器件封装TO-92-3封装/外壳TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)