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朱先生 
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发布时间： 2018/11/8 10:51:53 | 327 次阅读
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数据列表STN4NF03L
标准包装 4,000
包装 标准卷带
零件状态 在售
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单系列STripFET™ II
规格FET 类型N 沟道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）30V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）6.5A（Tc）驱动电压（ Rds On， Rds On）5V，10V不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）50 毫欧 2A，10V不同 Id 时的 Vgs（th）（值）1V 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）9nC 10VVgs（值）±16V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）330pF 25VFET 功能-功率耗散（值）3.3W（Tc）工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型表面贴装供应商器件封装SOT-223封装/外壳TO-261-4，TO-261AA
