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发布时间： 2018/11/12 14:21:37 | 305 次阅读
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数据列表SI1012CR-T1-GE3
标准包装 3,000
包装 标准卷带
零件状态在售
类别分立半导体产品
产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单系列TrenchFET®
规格FET 类型N 沟道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）20V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）-驱动电压（ Rds On， Rds On）1.5V，4.5V不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）396 毫欧 @ 600mA，4.5V不同 Id 时的 Vgs（th）（值）1V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）2nC @ 8VVgs（值）±8V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）43pF @ 10VFET 功能-功率耗散（值）240mW（Ta）工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型表面贴装供应商器件封装SC-75A封装/外壳SC-75，SOT-416
