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FQT1N60CTF-WS
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FQT1N60CTF-WSFQT1N60CTF-WSFQT1N60CTF-WSFET 类型 | N 通道 | |
技术 | MOSFET（金属氧化物） | |
漏源电压（Vdss） | 600 V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 200mA（Tc） | |
驱动电压 | 10V | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻 | 11.5 欧姆 @ 100mA，10V | |
不同 Id 时 Vgs(th) | 4V @ 250μA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg) | 6.2 nC @ 10 V | |
Vgs | ||
不同 Vds 时输入电容 (Ciss) | 170 pF @ 25 V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散 | 2.1W（Tc） | |
工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | |
安装类型 | 表面贴装型 |
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