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朱先生 
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数据列表IRFP460
标准包装 25
包装 管件
零件状态 在售
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单系列-
规格FET 类型N 沟道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）500V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）20A（Tc）驱动电压（ Rds On， Rds On）10V不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）270 毫欧 12A，10V不同 Id 时的 Vgs（th）（值）4V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）210nC @ 10VVgs（值）±20V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）4200pF @ 25VFET 功能-功率耗散（值）280W（Tc）工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型通孔供应商器件封装TO-247-3封装/外壳TO-247-3
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