相关证件：
会员类型：
会员年限：13年
朱先生 
电话：0755-82545498
手机：13538016218
数据列表SI4166DY
标准包装 2,500
包装 标准卷带
零件状态 在售
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单系列TrenchFET®
规格
FET 类型N 沟道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）30V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）30.5A（Tc）驱动电压（ Rds On， Rds On）4.5V，10V不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）3.9 毫欧 15A，10V不同 Id 时的 Vgs（th）（值）2.4V 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）65nC 10VVgs（值）±20V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）2730pF 15VFET 功能-功率耗散（值）3W（Ta），6.5W（Tc）工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型表面贴装供应商器件封装8-SO封装/外壳8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
询价
