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朱先生 
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| 类别 | 分立半导体产品 | |
|---|---|---|
| 晶体管 - FET，MOSFET - 单 | ||
| 制造商 | Infineon Technologies | |
| 系列 | HEXFET® | |
| 包装 | 带卷（TR） | |
| 零件状态 | 在售 | |
| FET 类型 | N 沟道 | |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | |
| 漏源极电压（Vdss） | 30V | |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 58A（Tc） | |
| 驱动电压（ Rds On， Rds On） | 4.5V，10V | |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（值） | 2.35V @ 25μA | |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） | 16nC @ 4.5V | |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） | 1350pF @ 15V | |
| Vgs（值） | ±20V | |
| FET 功能 | - | |
| 功率耗散（值） | 55W（Tc） | |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） | 8.9 毫欧 @ 25A，10V | |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 供应商器件封装 | D-Pak | |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
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