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会员年限：14年
朱先生 
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| 制造商 |
Infineon Technologies |
|---|---|
| 制造商零件编号 |
BSC054N04NSGATMA1 |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 81A TDSON-8 |
| 对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 | 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 湿气敏感性等级 （MSL） | 1（无限） |
| FET 类型 | N 沟道 |
|---|---|
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 17A（Ta），81A（Tc） |
| 驱动电压（ Rds On， Rds On） | 10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（值） | 4V @ 27μA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） | 34nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） | 2800pF @ 20V |
| Vgs（值） | ±20V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（值） | 2.5W（Ta），57W（Tc） |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） | 5.4 毫欧 @ 50A，10V |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 供应商器件封装 | PG-TDSON-8 |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
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