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朱先生 
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深圳市汇创佳电子科技有限公司
类别
分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商
STMicroelectronics
系列
SuperMESH3™
包装
管件
零件状态
在售
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源极电压（Vdss）
650V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
5.4A（Tc）
驱动电压（ Rds On， Rds On）
10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值）
4.5V @ 50μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）
35nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）
880pF @ 50V
Vgs（值）
±30V
FET 功能
-
功率耗散（值）
30W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）
1.3 欧姆 @ 2.8A，10V
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220FP
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