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营业执照：已审核
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所在地区：广东 深圳
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朱先生
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600V
3.5A（Ta）
150°C（TJ）
TO-220SIS
深圳市汇创佳电子科技有限公司 朱先生
数据列表 TK4A60DA 产品属性 选取全部项目 类别 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage 系列 π-MOSVII 包装 管件 零件状态 在售 FET 类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源极电压（Vdss） 600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.5A（Ta） 不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 4.4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 11nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 490pF @ 25V FET 功能 - 功率耗散（值） - 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 2.2 欧姆 @ 1.8A，10V 工作温度 150°C（TJ） 安装类型 通孔 供应商器件封装 TO-220SIS 封装/外壳 TO-220-3 整包
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