汇创佳电子销售原装EPC2001_深圳市汇创佳电子科技有限公司

企业信息

深圳市汇创佳电子科技有限公司

卖家积分： 23001分-24000分

营业执照：已审核

经营模式：

所在地区：广东深圳

企业网站：
http://huichuangjia.com

企业档案

优势库存(970)

普通库存(78106)

集成电路(IC)(2350)

场效应管MOSFET(114)

可控硅IGBT(1)

>双向可控硅(晶闸管)(1)

单片机(1)

>单片机产品/套件(1)

电容器(44)

>超级(法拉/黄金)电容(44)

电阻器(1)

>电阻(负载)箱(1)

连接器/接插件(58)

开关(1)

>按钮/按键开关(1)

传感器(44)

放大器(8)

光电子/光纤/激光(29)

>其他光电子、激光器件(29)

微特电机(1)

>步进电动机(1)

LED(19)

显示屏/显示器件/配件(1)

>导光板/增光膜/反射膜/偏光片/背光源配件零配件(1)

数据列表	EPC2001 Datasheet
应用说明	Second Generation eGaN® FETs Assembling eGaN® FETs Using eGaN® FETs
产品培训模块	Second Gen Lead Free eGaN FETs Overview Paralleling eGaN® FETs Driving eGaN FETs with LM5113
视频文件	EPC eGaN FETs -- Another Geek Moment \| DigiKey
RoHS指令信息	Lead Free/RoHS Statement
特色产品	eGaN™ FETs Development Board EPC9013 for EPC2001 EPC9118 Demonstration Board EPC Low Voltage eGaN® FETs
参考设计库	EPC9102: 12V @ 8 ~ 17A, 48V in
PCN 设计/规格	EPC20xx Material 10/Apr/2013
PCN 组件/产地	EPC2yyy Family Process Change 12/Dec/2013

产品属性	选取全部项目
类别	分立半导体产品
类别	晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商	EPC
系列	eGaN®
包装	带卷（TR）
零件状态	在售
FET 类型	N 沟道
技术	GaNFET（氮化镓）
漏源极电压（Vdss）	100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	25A（Ta）
驱动电压（ Rds On， Rds On）	5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值）	2.5V @ 5mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（值）	10nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）	950pF @ 50V
Vgs（值）	+6V，-5V
FET 功能	-
功率耗散（值）	-
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）	7 毫欧 @ 25A，5V
工作温度	-40°C ~ 125°C （TJ）
安装类型	表面贴装
供应商器件封装	模具剖面（11 焊条）
封装/外壳	模具

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集成电路(IC)(2350)

电源IC(2)

半导体存储器(1)

二极管(3)

三极管(2)

场效应管MOSFET(114)

可控硅IGBT(1)

单片机(1)

电容器(44)

电阻器(1)

连接器/接插件(58)

开关(1)

传感器(44)

放大器(8)

光电子/光纤/激光(29)

微特电机(1)

LED(19)

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