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类别
分立半导体产品
家庭
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
系列
-
包装
带卷（TR）
零件状态
在售
FET 类型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能
逻辑电平栅极，4.5V 驱动
漏源极电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
6A（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）
28 毫欧 @ 5A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值）
2.5V @ 100μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
3.4nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
436pF @ 15V
功率 - 值
1W
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SOT-23-3 扁平引线
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