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发布时间： 2018/7/13 10:08:09 | 375 次阅读
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数据列表SIJ470DP
标准包装 3,000
包装 标准卷带
零件状态在售
类别分立半导体产品
产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单系列TrenchFET®
规格FET 类型N 沟道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）40V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）40A（Tc）驱动电压（ Rds On， Rds On）4.5V，10V不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）5.5 毫欧 20A，10V不同 Id 时的 Vgs（th）（值）2.2V 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）32nC 10VVgs（值）±20V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）1330pF 20VFET 功能-功率耗散（值）3.7W（Ta），52W（Tc）工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型表面贴装供应商器件封装PowerPAK® 1212-8封装/外壳PowerPAK® 1212-8
