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朱先生 
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发布时间： 2018/3/3 10:11:04 | 323 次阅读
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数据列表NTD78N03
标准包装 2,500包装 标准卷带 类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单系列-
规格FET 类型N 沟道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）25V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）11.4A（Ta），78A（Tc）驱动电压（ Rds On， Rds On）4.5V，10V不同 Id 时的 Vgs（th）（值）3V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）35nC @ 4.5V电压，耦合至栅极电荷（Qg）（）@ Vgs4.5VVgs（值）±20V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）2250pF @ 12V电压，耦合至输入电容（Ciss）（） @ Vds12VFET 功能-功率耗散（值）1.4W（Ta），64W（Tc）不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）6 毫欧 @ 78A，10V工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型表面贴装供应商器件封装DPAK封装/外壳TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
