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发布时间： 2018/3/1 9:44:51 | 328 次阅读
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数据列表IRFB3206PbF, IRFS(L)3206PbF
标准包装 800包装 标准卷带 类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单系列HEXFET
规格FET 类型N 沟道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）60V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）120A（Tc）驱动电压（ Rds On， Rds On）10V不同 Id 时的 Vgs（th）（值）4V @ 150μA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）170nC @ 10V电压，耦合至栅极电荷（Qg）（）@ Vgs10VVgs（值）±20V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）6540pF @ 50V电压，耦合至输入电容（Ciss）（） @ Vds50VFET 功能-功率耗散（值）300W（Tc）不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）3 毫欧 75A，10V工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型表面贴装供应商器件封装D2PAK封装/外壳TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
