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发布时间: 2018/3/16 9:22:16 | 361 次阅读
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数据列表UP04878 Datasheet
标准包装 8,000零件状态停產类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET,MOSFET - 阵列系列-
规格FET 类型2 个 N 沟道(双)FET 功能逻辑电平门漏源电压(Vdss)50V电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)100mA不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值)12 欧姆 10mA,4V不同 Id 时的 Vgs(th)(值)1.5V 1μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值)-不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(值)12pF 3V功率 - 值125mW工作温度125°C(TJ)安装类型表面贴装封装/外壳SOT-563,SOT-666供应商器件封装SSMINI6-F1