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发布时间： 2018/11/2 10:42:18 | 322 次阅读
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数据列表SI2302CDS
标准包装 3,000
包装 标准卷带
零件状态 在售
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单系列TrenchFET®
规格FET 类型N 沟道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）20V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）2.6A（Ta）驱动电压（ Rds On， Rds On）2.5V，4.5V不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）57 毫欧 3.6A，4.5V不同 Id 时的 Vgs（th）（值）850mV 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）5.5nC 4.5VVgs（值）±8VFET 功能-功率耗散（值）710mW（Ta）工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型表面贴装供应商器件封装SOT-23-3（TO-236）封装/外壳TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
