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朱先生 
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发布时间： 2018/11/14 10:49:59 | 352 次阅读
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数据列表IPB65R310CFD
标准包装 500包装 管件 零件状态在售类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单系列CoolMOS™
规格FET 类型N 沟道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）650V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）11.4A（Tc）驱动电压（ Rds On， Rds On）10V不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）310 毫欧 @ 4.4A，10V不同 Id 时的 Vgs（th）（值）4.5V @ 440μA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）41nC @ 10VVgs（值）±20V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）1100pF @ 100VFET 功能-功率耗散（值）32W（Tc）工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型通孔供应商器件封装PG-TO220 整包封装/外壳TO-220-3 整包
