深圳市汇创佳电子科技有限公司

深圳市汇创佳电子科技有限公司0755-82545498 13538016218 QQ：531398920朱先生

数据列表STx(x)6N65K3

标准包装  50

包装    管件

零件状态   在售

类别   分立半导体产品

产品族   晶体管 - FET，MOSFET - 单系列SuperMESH3™

规格

FET 类型N 沟道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）650V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）5.4A（Tc）驱动电压（ Rds On， Rds On）10V不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）1.3 欧姆   2.8A，10V不同 Id 时的 Vgs（th）（值）4.5V   50μA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）35nC  10VVgs（值）±30V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）880pF  50VFET 功能-功率耗散（值）30W（Tc）工作温度150°C（TJ）安装类型通孔供应商器件封装TO-220FP封装/外壳TO-220-3 整包