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发布时间: 2016/5/16 9:23:50 | 437 次阅读
0755-82545498 QQ:531398920 朱先生
FET 类型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能
逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
2.2A(Ta)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值)
65 毫欧 @ 2.2A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(值)
1V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
9nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
300pF @ 10V
功率 - 值
460mW
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3