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朱先生 
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发布时间： 2018/9/21 12:01:40 | 247 次阅读
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数据列表TPH4R008NH
标准包装 5,000
包装 标准卷带
零件状态 在售
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列U-MOSVIII-H
规格FET 类型N 沟道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）80V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）60A（Tc）驱动电压（ Rds On， Rds On）10V不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）4 毫欧 30A，10V不同 Id 时的 Vgs（th）（值）4V 1mA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）59nC 10VVgs（值）±20V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）5300pF 40VFET 功能-功率耗散（值）1.6W（Ta），78W（Tc）工作温度150°C（TJ）安装类型表面贴装供应商器件封装8-SOP Advance（5x5）封装/外壳8-PowerVDFN
