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发布时间： 2018/2/28 10:46:11 | 329 次阅读
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数据列表IRF7420PbF
标准包装 4,000包装 标准卷带 类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单系列HEXFET
规格FET 类型P 沟道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）12V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）11.5A（Tc）驱动电压（ Rds On， Rds On）1.8V，4.5V不同 Id 时的 Vgs（th）（值）900mV 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）38nC 4.5V电压，耦合至栅极电荷（Qg）（）Vgs4.5VVgs（值）±8V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）3529pF 10V电压，耦合至输入电容（Ciss）（） @ Vds10VFET 功能-功率耗散（值）2.5W（Ta）不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）14 毫欧 11.5A，4.5V工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型表面贴装供应商器件封装8-SO封装/外壳8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
