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朱先生 
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发布时间： 2018/11/1 10:29:00 | 321 次阅读
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数据列表IRF840ASPBF, ALPBF
标准包装 800
包装 标准卷带
零件状态 在售
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单系列-
规格FET 类型N 沟道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）500V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）8A（Tc）驱动电压（ Rds On， Rds On）10V不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）850 毫欧 4.8A，10V不同 Id 时的 Vgs（th）（值）4V 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）38nC 10VVgs（值）±30V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）1018pF 25VFET 功能-功率耗散（值）3.1W（Ta），125W（Tc）工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型表面贴装供应商器件封装D2PAK封装/外壳TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
