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发布时间： 2018/10/26 9:58:40 | 272 次阅读
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数据列表IPD60R3K3C6
标准包装 2,500
包装 标准卷带
零件状态 不適用於新設計
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单系列CoolMOS™ C6
规格FET 类型N 沟道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）600V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）1.7A（Tc）驱动电压（ Rds On， Rds On）10V不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）3.3 欧姆 500mA，10V不同 Id 时的 Vgs（th）（值）3.5V 40μA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）4.6nC 10VVgs（值）±20V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）93pF 100VFET 功能-功率耗散（值）18.1W（Tc）工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型表面贴装供应商器件封装PG-TO252-3封装/外壳TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
