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发布时间： 2018/10/25 10:27:39 | 288 次阅读
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数据列表STP9NK65Z(FP)
标准包装 50
包装 管件
零件状态 在售
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单系列SuperMESH™
规格FET 类型N 沟道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）650V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）6.4A（Tc）驱动电压（ Rds On， Rds On）10V不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）1.2 欧姆 3.2A，10V不同 Id 时的 Vgs（th）（值）4.5V @ 100μA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）41nC 10VVgs（值）±30V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）1145pF 25VFET 功能-功率耗散（值）30W（Tc）工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型通孔供应商器件封装TO-220FP封装/外壳TO-220-3 整包
