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朱先生 
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发布时间： 2018/10/22 9:56:28 | 244 次阅读
深圳市汇创佳电子科技有限公司0755-82545498 13538016218 QQ：531398920朱先生
数据列表RUE003N02
标准包装 3,000
包装 标准卷带
零件状态 不適用於新設計
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单系列-
规格FET 类型N 沟道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）20V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）300mA（Ta）驱动电压（ Rds On， Rds On）1.8V，4V不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）1 欧姆 300mA，4V不同 Id 时的 Vgs（th）（值）1V 1mAVgs（值）±8V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）25pF 10VFET 功能-功率耗散（值）150mW（Ta）工作温度150°C（TJ）安装类型表面贴装供应商器件封装EMT3封装/外壳SC-75，SOT-416
