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朱先生 
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| FET 类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
|---|---|
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压（Vdss） | 50V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 130mA（Ta） |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） | 10 欧姆 @ 100mA，5V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（值） | 2V @ 250μA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg） | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss） | 30pF @ 5V |
| 功率 - 值 | 225mW |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
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